Схемы
замещения резисторов, индуктивных катушек и конденсаторов.
Идеализированные
схемные элементы — сопротивление r, индуктивность L, емкость С — отражают основные
свойства и параметры соответственно резисторов, индуктивных катушек и конденсаторов,
обусловленные физическими процессами необратимого рассеяния энергии и обратимого
накопления энергии, связанной с магнитным и электрическим полями.
При
определенных условиях необходимо учитывать свойства и параметры реальных элементов,
обусловленные побочными (так называемыми паразитными) процессами. Например, на
высоких частотах на работу схемы влияют скорость изменения магнитного потока,
сцепленного с резистором, и ток смещения, т. е. индуктивность и емкость резистора,
которыми при других условиях можно пренебречь. У индуктивной катушки в ряде случаев
требуется учесть потери энергии в обмотке и сердечнике, межвитковую емкость; у
конденсатора — потери энергии в несовершенном диэлектрике, индуктивность выводов.

С
помощью идеализированных элементов r, L и С можно составить схемы замещения резисторов,
индуктивных катушек и конденсаторов, учитывающие побочные процессы. Например,
на рис. 1.16, а показана схема замещения резистора, учитывающая его индуктивность
и емкость; на рис. 1.16, б, в приведены схемы замещения индуктивной катушки и
конденсатора, учитывающие потери энергии, паразитные емкости и индуктивности.
Параметры таких схем замещения находят на основании экспериментальных данных,
а также в определенных случаях — расчетным путем.
|
Другие главы учебника Теоритические основы электротехники ТОЭ |