Механизм самопроизвольной кристаллизации.
1. Число центров кристаллизации Ч.С. [1/мм *с]
- количество зародышей кристаллизации, или центров, образовавшихся за 1 секунду.
2. Скорость роста кристаллизации, скорость роста [мм/сек]
-
 |
1 объема в секунду.
DТ1-малая степень переохлаждения (число зародышей мало С.Р.¹0)Þмалое количество кристаллов успеет вырасти до большого размера.
DТ2-большая степень переохлаждения (число зародышей велико: С.Р. тоже большая).
От размеров и формы кристаллов очень сильно зависят свойства материалов. Мелкие кристаллы – твердость и прочность повышаются, а пластичность уменьшается. Крупные кристаллы – твердость и прочность уменьшается, а пластичность увеличивается.
Степень переохлаждения можно измерить за счет изменения скорости охлаждения.
Vохл1<Vохл2ÞDТ1<DТ2
Управление процесса кристаллизации возможно только для малых объемов.
При образовании зародышей крист. происходит 2 противоречащих процесса:
1) ¯Fсв. ~ Vзар.
2) Fсв. За счет возникновения поверхности раздела между кристаллами и жидкостьюÞ устойчивым будет только тот зародыш, для которого
¯Fсв. > чем Fсв.